13.11.2019

Иван Миловзоров

 Новосибирск

Мемристоры из нового материала продолжают работать, даже если их согнуть вдвое. Фото Виктора Яковлева, пресс-служба ИФП СО РАН

«В 1000 раз быстрее флешек». Новый материал для мемристоров (резисторов, обладающих памятью) разработали исследователи Института физики полупроводников СО РАН в Новосибирске.

Разработанные структуры могут использоваться для изготовления элементов памяти гибкой электроники. Они выдерживают многочисленные деформации, способны хранить и многократно перезаписывать информацию всего за 30 наносекунд, сообщает «Наука в Сибири».

Мемристор – микроэлектронный компонент, изменяющий свое сопротивление в зависимости от протекшего через него электрического заряда. Время переключения измеряется в наносекундах, что примерно в 1000 раз меньше, чем у распространенной сейчас флэш-памяти.